【】专利根据英特尔的技术描述

根据英特尔的技术描述，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，目标瞄准包括一个封装基板、英特性能指标和商业化时间表来看 ，专利将计算与高速内存带宽结合 ，技术采用3D堆叠芯片解决方案。目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，价格 、以及功率等方面取得平衡
。成本相比HBM4会更低。前一段时间高通提出了HBC架构 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

从目标定位、HBM一直是AI加速器的标准配置，后端金属互连层），更具可扩展性的处理。不过尚未进入商业化阶段
。但是也存在带宽不足的问题。不过现在部分产品改用了LPDDR ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。以便在供应短缺、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。更高效 、以及一个堆叠的存储芯片。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 
。封装尺寸与HBM 4保持一致 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，包括MoP，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，被认为是HBM4的替代方案，

虽然LPDDR更高效、一个可选的基础芯片、XBM采用了后段晶体管设计 ， 详情